RFN1L6SDDTE25
Rohm Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | RFN1L6SDDTE25 |
---|---|
Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS |
Datenblätte: | None |
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
1+ | $0.49 |
10+ | $0.421 |
100+ | $0.3144 |
500+ | $0.247 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.45 V @ 800 mA |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | PMDS |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 35 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-214AC, SMA |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 1 µA @ 600 V |
Strom - Richt (Io) | 800mA |
Kapazität @ Vr, F | - |
Grundproduktnummer | RFN1L6 |
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM
DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDS
SUPER FAST RECOVERY DIODE : RFN1
SUPER FAST RECOVERY DIODE : RFN1
RFN1L6S ROHM
RFN1L7S ROHM
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM
RFN1L6SDD ROHM
RFN1L7SDD ROHM
RFN1L6S TE25 ROHM
DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDS
DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS
RFN1L7S TE25 ROHM
DIODE GEN PURP 430V 10A TO220NFM
RFN1LAM6S ROHM
RFN1L6SFJ ROHM
RFN1L7SFJ TE25 ROHM
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM
ROHM TO220
2024/07/10
2024/10/30
2024/03/25
2024/07/2
RFN1L6SDDTE25Rohm Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|